沪电股份拟19.8亿元投建应用于半导体芯片测试等领域的高层高密度互连积层板研发与制造项目
上证报中国证券网讯(记者 骆民)沪电股份公告,公司拟投资新建应用于半导体芯片测试及下一代高频高速通讯领域的高层高密度互连积层板研发与制造项目。项目投资总额约为19.8亿元,包括基础建设投入、设备投入、铺底流动资金等,项目总建设期计划为4年。
上证报中国证券网讯(记者 骆民)沪电股份公告,公司拟投资新建应用于半导体芯片测试及下一代高频高速通讯领域的高层高密度互连积层板研发与制造项目。项目投资总额约为19.8亿元,包括基础建设投入、设备投入、铺底流动资金等,项目总建设期计划为4年。