T/R组件及射频芯片军民两用并进 国博电子即将登陆科创板

　　上证报中国证券网讯 7月15日，国博电子公布首次公开发行股票并在科创板上市发行结果公告，公司离正式在科创板上市的日子渐行渐近。本次IPO，国博电子公开发行4001.00万股，募集资金283590.88万元，其中14.75亿元投入射频芯片和组件产业化项目，剩余12亿元用于补充流动资金。

　　资料显示，国博电子成立于2000年，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，覆盖军用与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路相关产品的领先企业。

　　据介绍，国博电子通过整合中国电科五十五所微系统事业部有源相控阵T/R组件业务，构建了覆盖X波段、Ku波段、Ka波段的设计平台、微波高密度互连工艺平台以及全自动通用测试平台，在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计、多温度梯度钎焊工艺、可靠性试验分析测试等技术领域积累了关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。

　　除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。在射频模块领域，国博电子根据客户需求，开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度产品，产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。

　　在射频放大类芯片领域，国博电子掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术，国博电子形成了系列化的砷化镓化合物半导体产品。国博电子射频芯片主要应用于移动通信基站等领域，产品技术水平属于国内领先、国际先进水平。在低噪声放大器方面，针对5G基站应用，国博电子设计了大动态、高线性的低噪声产品，其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要性能指标均已处于国际先进水平。在功率放大器方面，针对移动通信基站应用，国博电子设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性HBT放大器，其增益、饱和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前，这两类产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中。

　　数据显示，2019年至2021年，国博电子T/R组件和射频模块、射频芯片销售额分别为219722.83万元、218484.25万元、247336.19万元。经过多年的努力，国博电子的产品得到了市场认可。

　　依靠卓越的科研能力和优良的产品质量，国博电子的产品在民用通信领域也获得了认可。据悉，在B01的供应链平台上，国博电子作为国内领先的射频集成电路企业与国际知名的欧、美、日企业同台竞争，系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。

　　对此，国博电子表示，在军品领域，国博电子将贯彻创新驱动发展战略，按照探索一代、预研一代、研制一代、生产一代的原则，瞄准国内卓越、世界一流的发展目标，重点围绕国防装备发展瓶颈和信息化快速发展对有源相控阵T/R组件的迫切需求，以市场需求为导向，以量大面广的产品为突破口，以优化性能、降低成本为动力，按照重点突破、平台支撑、体系推进的思路，推动有源相控阵T/R组件设计、制造、测试验证能力体系成系统的发展。

　　在民品领域，国博电子将立足于国内移动通信市场，依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路系列产品行业经验，以基站类射频集成电路为突破口，建设具有国内领先、国际先进水平的射频集成电路全产业链，实现集成电路基础与核心芯片自主可控，推动自主研发生产的射频集成电路产品在以5G以及下一代移动通信基站和通信终端为代表的市场上打破垄断，提升我国射频集成电路产业的整体能力。（张雷）